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碳化硅MOS
反向截止電壓(Vrwm):15V
擊穿電壓(最小值):14.3V
穿電壓([敏感詞]值):15.8V
反向漏電流(Ir):1mA
[敏感詞]鉗位電壓:21.2V
反向截止電壓(Vrwm):15V
擊穿電壓(最小值):14.3V
穿電壓([敏感詞]值):15.8V
反向漏電流(Ir):1mA
[敏感詞]鉗位電壓:21.2V
產(chǎn)品描述
信號完整性由于 PCB 走線、傳輸線纜和內(nèi)部符號干擾 (ISI) 而降級。NB7NPQ1002M 通過在輸入接收器采取多種均衡水平，以及輸出發(fā)射器上的扁平增益， 對這些損耗進行補償。 NB7NPQ1002M 提供可編程的均衡和扁平增益，以優(yōu)化其在各種物理介質(zhì)中的性能。 NB7NPQ1002M 包含一個可確定輸出是否處于活動 狀態(tài)的自動接收器檢測功能。如果相應溝道的信號檢測器閑置一段時間，則接收器檢測環(huán)路將處于活動狀態(tài)。如果未檢測到負載，則溝道將進入“拔出模式”， 或由于不活動而返回“低功率模式”（“睡眠”模式）。兩個溝道都獨立于單獨控制。 NB7NPQ1002M 采用 2.5 x 4.5 mm WQFN30 封裝，規(guī)定在 –40°C 至 85°C 的整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)運行。 NB7NPQ1002M 是高性能單端口線性再驅(qū)動器，適用于支持 5 Gbps 和 10 Gbps 數(shù)據(jù)速率的 USB 3.1 第 1 代和 USB 3.1 第 2 代應用。
主要特點
- VDS = 40V,ID =120A
- RDS(ON) < 3.5 mΩ @ VGS =10V
- RDS(ON) < 4.8mΩ @ VGS =4.5V
- 極低的導通電阻
- 100%的UIS測試
產(chǎn)品參數(shù)
信號完整性由于 PCB 走線、傳輸線纜和內(nèi)部符號干擾 (ISI) 而降級。NB7NPQ1002M 通過在輸入接收器采取多種均衡水平，以及輸出發(fā)射器上的扁平增益， 對這些損耗進行補償。 NB7NPQ1002M 提供可編程的均衡和扁平增益，以優(yōu)化其在各種物理介質(zhì)中的性能。 NB7NPQ1002M 包含一個可確定輸出是否處于活動 狀態(tài)的自動接收器檢測功能。如果相應溝道的信號檢測器閑置一段時間，則接收器檢測環(huán)路將處于活動狀態(tài)。如果未檢測到負載，則溝道將進入“拔出模式”， 或由于不活動而返回“低功率模式”（“睡眠”模式）。兩個溝道都獨立于單獨控制。 NB7NPQ1002M 采用 2.5 x 4.5 mm WQFN30 封裝，規(guī)定在 –40°C 至 85°C 的整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)運行。 NB7NPQ1002M 是高性能單端口線性再驅(qū)動器，適用于支持 5 Gbps 和 10 Gbps 數(shù)據(jù)速率的 USB 3.1 第 1 代和 USB 3.1 第 2 代應用。
技術文檔
信號完整性由于 PCB 走線、傳輸線纜和內(nèi)部符號干擾 (ISI) 而降級。NB7NPQ1002M 通過在輸入接收器采取多種均衡水平，以及輸出發(fā)射器上的扁平增益， 對這些損耗進行補償。 NB7NPQ1002M 提供可編程的均衡和扁平增益，以優(yōu)化其在各種物理介質(zhì)中的性能。 NB7NPQ1002M 包含一個可確定輸出是否處于活動 狀態(tài)的自動接收器檢測功能。如果相應溝道的信號檢測器閑置一段時間，則接收器檢測環(huán)路將處于活動狀態(tài)。如果未檢測到負載，則溝道將進入“拔出模式”， 或由于不活動而返回“低功率模式”（“睡眠”模式）。兩個溝道都獨立于單獨控制。 NB7NPQ1002M 采用 2.5 x 4.5 mm WQFN30 封裝，規(guī)定在 –40°C 至 85°C 的整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)運行。 NB7NPQ1002M 是高性能單端口線性再驅(qū)動器，適用于支持 5 Gbps 和 10 Gbps 數(shù)據(jù)速率的 USB 3.1 第 1 代和 USB 3.1 第 2 代應用。